개요
단파장적외선 SWIR(Short wave infrared ray)
일반적으로 900 ~ 1700nm 대역을 일컷는 가시광보다 긴 파장대역
InGaAs(인듐 갈륨 비소 Indium Gallium Arsenide)를 사용하여 센서를 제작하며 보통은 900~1700nm 대역을 투과 하며
용도에 따라 가시광 ~ MWIR(~2500nm) 영역대 까지 투과를 하는 센서를 제작 하기도 한다.
시광선 보다 파장이 길어 투과 목적에 많이 사용됨
수분을 투과 하기 때문에 군사용 목적으로(안개, 연기) 사용되며, 산업용으로는 실리콘웨이퍼를 투과 하기 때문에 공정 후 반도체 검사, 솔라패널 검사, 감식/위조 판별 등 다양한 분야에 사용
주로 640 x 512pixel의 VGA급을 많이 사용
해상도(1024p, 640p, 320p), 인터페이스(USB3.0/GigE/Camera Linlk) 별 라인업을 구비 하고 있으며 최신의 SONY InGaAs 센서를 사용한 모델도 시판중
반도체 검사용 IR현미경 납품이력, 그 외에 연구용 목적의 카메라&렌즈 조명 구성등 다수의 납품 이력 및 경험 보유
스펙
| High Resolution | High Dynamic Range | Deep Cooling |
| 센서 | SONY InGaAs | NIT InGaAs | NIT InGaAs |
| 해상도 | 1280 x 1024 | 640 x 512 | 640 x 512 |
| 픽셀사이즈 | 5μm x 5μm | 15μm x 15μm | 15μm x 15μm |
| 파장대역 | 400nm~1700nm | 900nm~1700nm | 900nm~1700nm |
| 프레임 속도 | Up to 134fps | Up to 230fps | Up to 230fps |
| 인터페이스 | GigE / Camera Link | GigE / Camera Link / USB3.0 / Analog | GigE / Camera Link |
| 냉각 | TEC | TEC | TEC & Fan |
| 노출시간 | ~10ms | ~220ms | ~112s |
| 특징 | 고해상도 모델
작은 픽셀사이즈 | Lin&Log 듀얼모드 센서
HDR 기능으로 밝은곳에서 사용 가능
낮은 노이즈, 소형 사이즈 | Deep Cooling 모델
긴 시간 노출 가능 |
개요
단파장적외선 SWIR(Short wave infrared ray)
일반적으로 900 ~ 1700nm 대역을 일컷는 가시광보다 긴 파장대역
InGaAs(인듐 갈륨 비소 Indium Gallium Arsenide)를 사용하여 센서를 제작하며 보통은 900~1700nm 대역을 투과 하며
용도에 따라 가시광 ~ MWIR(~2500nm) 영역대 까지 투과를 하는 센서를 제작 하기도 한다.
시광선 보다 파장이 길어 투과 목적에 많이 사용됨
수분을 투과 하기 때문에 군사용 목적으로(안개, 연기) 사용되며, 산업용으로는 실리콘웨이퍼를 투과 하기 때문에 공정 후 반도체 검사, 솔라패널 검사, 감식/위조 판별 등 다양한 분야에 사용
주로 640 x 512pixel의 VGA급을 많이 사용
해상도(1024p, 640p, 320p), 인터페이스(USB3.0/GigE/Camera Linlk) 별 라인업을 구비 하고 있으며 최신의 SONY InGaAs 센서를 사용한 모델도 시판중
반도체 검사용 IR현미경 납품이력, 그 외에 연구용 목적의 카메라&렌즈 조명 구성등 다수의 납품 이력 및 경험 보유
스펙
작은 픽셀사이즈
HDR 기능으로 밝은곳에서 사용 가능
낮은 노이즈, 소형 사이즈
긴 시간 노출 가능